ZnGeP2 — засићена инфрацрвена нелинеарна оптика
Опис производа
Због ових јединствених својстава, познат је као један од најперспективнијих материјала за нелинеарне оптичке примене. ZnGeP2 може да генерише континуирани подесиви ласерски излаз од 3–5 μm путем технологије оптичких параметарских осцилација (OPO). Ласери, који раде у атмосферском прозору преноса од 3–5 μm, од великог су значаја за многе примене, као што су инфрацрвено бројило, хемијско праћење, медицински апарати и даљинска детекција.
Можемо понудити висококвалитетни оптички ZnGeP2 са изузетно ниским коефицијентом апсорпције α < 0,05 цм-1 (на таласним дужинама пумпе 2,0-2,1 µм), који се може користити за генерисање подесивог ласера средњег инфрацрвеног зрачења са високом ефикасношћу путем OPO или OPA процеса.
Наш капацитет
Технологија динамичког температурног поља је креирана и примењена за синтезу поликристалног ZnGeP2. Захваљујући овој технологији, више од 500 г поликристалног ZnGeP2 високог степена чистоће са огромним зрнима је синтетисано у једном циклусу.
Метода хоризонталног градијентног замрзавања у комбинацији са технологијом усмереног вратног обликовања (која може ефикасно смањити густину дислокација) успешно је примењена на раст висококвалитетног ZnGeP2.
Висококвалитетни ZnGeP2 килограмског нивоа са највећим пречником на свету (Φ55 мм) успешно је узгајан методом вертикалног градијентног замрзавања.
Храпавост и равност површине кристалних уређаја, мање од 5 Å и 1/8λ респективно, добијене су нашом технологијом фине површинске обраде трапом.
Коначно одступање угла кристалних уређаја је мање од 0,1 степена због примене прецизне оријентације и прецизних техника сечења.
Уређаји са одличним перформансама постигнути су захваљујући високом квалитету кристала и висококвалитетној технологији обраде кристала (генерисан је подесиви ласер средњег инфрацрвеног зрачења од 3-5 μm са ефикасношћу конверзије већом од 56% када се пумпа извором светлости од 2 μm).
Наша истраживачка група је, кроз континуирано истраживање и техничке иновације, успешно савладала технологију синтезе поликристалног ZnGeP2 високог квалитета, технологију раста ZnGeP2 великих димензија и високог квалитета, као и оријентацију кристала и технологију високопрецизне обраде; може да обезбеди ZnGeP2 уређаје и оригиналне кристале узгајане у масовним размерама са високом униформношћу, ниским коефицијентом апсорпције, добром стабилношћу и високом ефикасношћу конверзије. Истовремено, успоставили смо читав сет платформи за тестирање перформанси кристала, што нам омогућава да пружимо услуге тестирања перформанси кристала купцима.
Апликације
● Генерација другог, трећег и четвртог хармоника CO2-ласера
● Оптичка параметарска генерација са пумпањем на таласној дужини од 2,0 µm
● Генерација другог хармоника CO-ласера
● Производња кохерентног зрачења у субмилиметарском опсегу од 70,0 µm до 1000 µm
● Генерисање комбинованих фреквенција зрачења CO2- и CO-ласера и других ласера ради у области транспарентности кристала.
Основна својства
| Хемијски | ZnGeP2 |
| Кристална симетрија и класа | тетрагонални, -42 м |
| Параметри решетке | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Густина | 4,162 г/цм3 |
| Мосова тврдоћа | 5,5 |
| Оптичка класа | Позитивно једноосно |
| Кориснички домет преноса | 2,0 μm - 10,0 μm |
| Топлотна проводљивост @ Т= 293 К | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K ( ∥ c) |
| Термичко ширење @ Т = 293 К до 573 К | 17,5 x 10⁶ K-1 (⊥c) 15,9 x 10⁶ K-1 (∥ c) |
Технички параметри
| Толеранција пречника | +0/-0,1 мм |
| Толеранција дужине | ±0,1 мм |
| Толеранција оријентације | <30 лучних минута |
| Квалитет површине | 20-10 СД |
| Равност | <λ/4@632.8 nm |
| Паралелизам | <30 лучних секунди |
| Перпендикуларност | <5 лучних минута |
| Закошење | <0,1 мм x 45° |
| Распон транспарентности | 0,75 - 12,0 μm |
| Нелинеарни коефицијенти | d36 = 68,9 пм/V (на 10,6μm) d36 = 75,0 пм/V (на 9,6 μm) |
| Праг штете | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
