ЗнГеП2 — засићена инфрацрвена нелинеарна оптика
Опис производа
Због ових јединствених својстава, познат је као један од најперспективнијих материјала за нелинеарне оптичке апликације. ЗнГеП2 може да генерише континуирани подесиви ласер од 3–5 μм који се користи технологијом оптичких параметарских осцилација (ОПО). Ласери, који раде у атмосферском трансмисионом прозору од 3–5 μм, од велике су важности за многе примене, као што су инфрацрвене мерење бројача, хемијски надзор, медицински апарати и даљинска детекција.
Можемо понудити ЗнГеП2 високог оптичког квалитета са изузетно ниским коефицијентом апсорпције α < 0,05 цм-1 (на таласним дужинама пумпе 2,0-2,1 µм), који се може користити за генерисање средњег инфрацрвеног подесивог ласера са високом ефикасношћу кроз ОПО или ОПА процесе.
Наш капацитет
Технологија динамичког температурног поља је креирана и примењена за синтезу поликристалног ЗнГеП2. Кроз ову технологију, више од 500 г поликристалног ЗнГеП2 високе чистоће са огромним зрнима је синтетизовано у једном циклусу.
Метода Хоризонтал Градиент Фреезе комбинована са Дирецтионал Нецкинг технологијом (која може ефикасно смањити густину дислокације) успешно је примењена на раст висококвалитетног ЗнГеП2.
Висококвалитетни ЗнГеП2 на нивоу килограма са највећим пречником на свету (Φ55 мм) успешно је узгајан методом вертикалног градијента замрзавања.
Храпавост површине и равност кристалних уређаја, мање од 5А и 1/8λ респективно, добијени су нашом технологијом фине обраде површине замком.
Коначно одступање угла кристалних уређаја је мање од 0,1 степен због примене прецизне оријентације и прецизних техника резања.
Уређаји са одличним перформансама су постигнути због високог квалитета кристала и технологије обраде кристала високог нивоа (3-5μм средњи инфрацрвени подесиви ласер је генерисан са ефикасношћу конверзије већом од 56% када се пумпа помоћу светлости од 2μм извор).
Наша истраживачка група, кроз континуирано истраживање и техничке иновације, успешно је савладала технологију синтезе поликристалног ЗнГеП2 високе чистоће, технологију раста велике величине и високог квалитета ЗнГеП2 и оријентацију кристала и технологију обраде високе прецизности; може да обезбеди ЗнГеП2 уређаје и оригиналне кристале у масовном обиму са високом униформношћу, ниским коефицијентом апсорпције, добром стабилношћу и високом ефикасношћу конверзије. У исто време, успоставили смо читав сет платформи за тестирање перформанси кристала која нам омогућава да клијентима пружимо услуге тестирања перформанси кристала.
Апликације
● Друга, трећа и четврта хармонична генерација ЦО2 ласера
● Генерисање оптичких параметара са пумпањем на таласној дужини од 2,0 µм
● Друга хармонијска генерација ЦО-ласера
● Производња кохерентног зрачења у субмилиметарском опсегу од 70,0 µм до 1000 µм
● Генерисање комбинованих фреквенција зрачења ЦО2- и ЦО-ласера и други ласери раде у региону кристалне транспарентности.
Основна својства
| Хемијски | ЗнГеП2 |
| Кристална симетрија и класа | тетрагонални, -42м |
| Латтице Параметерс | а = 5,467 А ц = 12,736 А |
| Густина | 4,162 г/цм3 |
| Мохс Харднесс | 5.5 |
| Оптицал Цласс | Позитивна једноосна |
| Корисни домет преноса | 2,0 ум - 10,0 ум |
| Тхермал Цондуцтивити @ Т= 293 К | 35 В/м∙К (⊥ц) 36 В/м∙К (∥ ц) |
| Тхермал Екпансион @ Т = 293 К до 573 К | 17,5 к 106 К-1 (⊥ц) 15,9 к 106 К-1 (∥ ц) |
Тецхницал Параметерс
| Толеранција пречника | +0/-0,1 мм |
| Ленгтх Толеранце | ±0,1 мм |
| Толеранција оријентације | <30 арцмин |
| Квалитет површине | 20-10 СД |
| Флатнесс | <λ/4@632.8 nm |
| Паралелизам | <30 лучних секунди |
| Перпендикуларност | <5 арцмин |
| Цхамфер | <0,1 мм к 45° |
| Опсег транспарентности | 0,75 - 12,0 ?м |
| Нелинеарни коефицијенти | д36 = 68,9 пм/В (на 10,6 μм) д36 = 75,0 пм/В (на 9,6 μм) |
| Праг оштећења | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
